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Módulo AWG CWDM4 Mux y Demux

Módulo AWG CWDM4 La aplicación de la tecnología CWDM en redes de telecomunicaciones está muy madura. La Unión Internacional de Telecomunicaciones define 18 canales CWDM con intervalo de 20 nm en la banda de 1271-1611 nm. El estándar CWDM4 en comunicación de datos adopta cuatro longitudes de onda, a saber, 1271-1331 nm,...

Módulo AWG CWDM4

La aplicación de la tecnología CWDM en las redes de telecomunicaciones está muy madura. La Unión Internacional de Telecomunicaciones define 18 canales CWDM con intervalo de 20 nm en la banda de 1271-1611 nm. El estándar CWDM4 en la comunicación de datos adopta cuatro longitudes de onda, a saber, 1271-1331 nm, que están cerca del punto de dispersión cero de la fibra monomodo G652. Módulo de transceptor óptico Data Center 100G, la forma de empaque principal actual es QSFP28, láser integrado de 4 semiconductores, matriz de detectores ópticos y su circuito de controladores, así como componentes pasivos CWDM4. Para integrar el componente CWDM4 en el módulo QSFP28, es necesario hacer que el diseño sea lo más pequeño posible, y el requisito de tamaño es más estricto que el módulo CCWDM (un módulo CWDM compacto) en la aplicación de telecomunicaciones.

Artículo	Método Condition/Measue	Símbolo	Unidad	Tipo
Artículo	Método Condition/Measue	Símbolo	Unidad	Mux	Demux
Canal		CH		4
Espaciamiento		Spc	Nm	20
CWL	Centro de C@3dB 25°C@3dB	λC	Nm	CH1:1271
				CH2:1291
				CH3:1311
				CH4:1331
Precisión CWL	Centro de C@3dB 25°C@3dB	△λC	Nm	±1
Ancho de banda de 1dB		BW1dB	Nm	≥12	≥12
Ancho de banda de 3dB		BW3dB	Nm	≥15	≥15
Unifomidad de canales	Todos los canales ILmax-ILmin	Unidad 1	Db	≤0,7
Unifomidad de chips	Todo el chip ILmax-ILmin	Unidad 2	Db	≤2	/
Pérdida de inserción	@Passband±5nm;Incluye PDL y acoplamiento de fibra	IL	Db	2 ~ 3.5	≤2.5
Pérdida dependiente de la polarización	Banda de paso±1nm	PDL	Db	≤0,5
Ondulación	Banda de paso±5nm	R	Db	≤1.0
Pérdida de devolución		RL	Db	≥40
Aislamiento (adyacente)	Banda de paso±6.5nm	ISO	Db	/	≥20
Aislamiento (no adyacente)	Banda de paso±6.5nm	ISO	Db	/	≥20
Dispersión del modo de polarización		PMD	P.D	≤0,15	≤0,15
Pérdida dependiente de la temperatura	-50~+85°C	TDL	Db	≤0.2	≤0.2
Estabilidad térmica de la longitud de onda		SMT	Nm/°C	≤0.012	/
Pitch de canal			micrómetro	500	250
Lado de entrada/salida				Lado idéntico	Lado opuesto
Tamaño del chip	Tamaño máximo		milímetro	≤7.6 * 4.0	≤10.2*1.6
Altura del chip			milímetro	≤1.3	≤1.0
Temperatura de funcionamiento			°C	-5~+80
Temperatura de almacenamiento			°C	-40~+85

Características y ventajas

Suficiente ancho de banda de trabajo

El radio de flexión es muy bajo

Mejor consistencia del canal

Dibujo estructural detallado:

Aplicaciones

Utilizado principalmente en transmisor y receptor de módulo óptico, ampliamente utilizado en 40G, 100G Módulo óptico de alta actividad para multiplexación y demultiplexación de señal óptica.

QSFP+

QSFP28

En un módulo transceptor óptico CWDM4, se necesitan dos chips CWDM4 AWG, uno para multiplexar y transmitir señales ópticas y el otro para demultiplexar y recibir señales ópticas. En el transmisor, el chip CWDM4 AWG adopta principalmente una estructura de entrada / salida de un lado, pero en el receptor, las longitudes de onda demultiplexadas serán detectadas por el fotodetector sin acoplarse a la fibra monomodo.

Líneas de producción OPTICO 4 WDM

4 líneas de producción WDM

Equipo de prueba importado

Ciclo de alta y baja temperatura

Nuestra promesa

Prueba de temperatura 100% alta y baja
Pruebas ópticas 100% rigurosas
Equipo de servicio individual profesional
Respuesta en 24 horas
Entrega rápida

Artículo	Método Condition/Measue	Símbolo	Unidad	Tipo
Artículo	Método Condition/Measue	Símbolo	Unidad	Mux	Demux
Canal		CH		4
Espaciamiento		Spc	Nm	20
CWL	Centro de C@3dB 25°C@3dB	λC	Nm	CH1:1271
				CH2:1291
				CH3:1311
				CH4:1331
Precisión CWL	Centro de C@3dB 25°C@3dB	△λC	Nm	±1
Ancho de banda de 1dB		BW1dB	Nm	≥12	≥12
Ancho de banda de 3dB		BW3dB	Nm	≥15	≥15
Unifomidad de canales	Todos los canales ILmax-ILmin	Unidad 1	Db	≤0,7
Unifomidad de chips	Todo el chip ILmax-ILmin	Unidad 2	Db	≤2	/
Pérdida de inserción	@Passband±5nm;Incluye PDL y acoplamiento de fibra	IL	Db	2 ~ 3.5	≤2.5
Pérdida dependiente de la polarización	Banda de paso±1nm	PDL	Db	≤0,5
Ondulación	Banda de paso±5nm	R	Db	≤1.0
Pérdida de devolución		RL	Db	≥40
Aislamiento (adyacente)	Banda de paso±6.5nm	ISO	Db	/	≥20
Aislamiento (no adyacente)	Banda de paso±6.5nm	ISO	Db	/	≥20
Dispersión del modo de polarización		PMD	P.D	≤0,15	≤0,15
Pérdida dependiente de la temperatura	-50~+85°C	TDL	Db	≤0.2	≤0.2
Estabilidad térmica de la longitud de onda		SMT	Nm/°C	≤0.012	/
Pitch de canal			micrómetro	500	250
Lado de entrada/salida				Lado idéntico	Lado opuesto
Tamaño del chip	Tamaño máximo		milímetro	≤7.6 * 4.0	≤10.2*1.6
Altura del chip			milímetro	≤1.3	≤1.0
Temperatura de funcionamiento			°C	-5~+80
Temperatura de almacenamiento			°C	-40~+85

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